Electronics Glossary
Gase und Fachbegriffe in der Elektronik Industrie. Kurzbeschreibungen in alphabetischer Reihenfolge.
A
Ammoniak (NH3)
Beschreibung: | Schwer brennbares, giftiges, korrosives, umweltgefährliches Gas |
Verwendung: | Reinigung von Wafern, Herstellung einer Siliziumnitridschicht im CVD-Prozess |
Argon (Ar)
Beschreibung: | chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas |
Verwendung: | Inertisierung, spülen, härten und für die Gasentladung bei der Metallisierung (Sputtern) |
Download: |
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Arsin (AsH3)
Beschreibung: | sehr giftiges, hochentzündliches, umweltgefährliches Gas |
Verwendung: | Arsenquelle für Diffussionsprozesse und Ionenimplantation (n-Dotierung) |
Ätzen
Beschreibung: | Abtragen von Schichten (insbesondere SiO2) durch Einsatz korrosiver Chemikalien. Weitere Informationen hier |
B
Bortrichlorid (BCl3)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Plasmaätzen, Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung) |
Bortrifluorid (BF3)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung) |
Bromwasserstoff (HBr)
Beschreibung: | Korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: |
Bussystem
Beschreibung: | Übliche Verkabelungsmethode um vielfältige Informationen aus einem Bereich übertragen zu können. Im Unterschied zur herkömmlichen "Klemmleisten-Verkabelung" ist hier nur ein Stammkabel notwendig, über das nacheinander alle Informationen übertragen werden können. Über ein und denselben Bus können auch mehrere Equipments angeschlossen werden, die unter Verwendung unterschiedlichen Adressen ("Bushaltestellen") nacheinander "angefahren" werden und die Informationen "einsammeln". |
C
CF4
Beschreibung: |
Chlor (Cl2)
Beschreibung: | Giftiges, korrosives, umweltgefährliches, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Plasmaätzen, Oxidation von Silizium |
Chlortrifluorid (ClF3)
Beschreibung: | Unbrennbares, stark korrosives, giftiges Gas |
Verwendung: | Kammerreinigung von Diffusionsöfen |
Chlorwasserstoff (HCl)
Beschreibung: | Giftiges, korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: | zum Ätzen / Plasmaätzen, für die Oxidation, Passivierung und Epitaxie. |
Controller
Beschreibung: | Steuerungs- und Bedienteil eines Gaskabinetts oder einer VMB. Der Controller ist vollständig vom Gasteil eines Gaskabinetts oder einer VMB getrennt. Hier laufen alle automatisierten Prozesse ab, Informationen werden aus dem Gasteil aufgenommen (Drücke etc.) und zur Anzeige gebracht. |
CVD Chemical Vapour Deposition
Beschreibung: | Aufbringen dünner Schichten auf einem Substrat durch Abscheidung der aufzubringenden Stoffe aus der Gasphase. Weitere Informationen hier |
D
Datenkonzentrator
Beschreibung: | Schaltschrank mit SPS (Speicherprogrammierbare Steuerung), der der Aufnahme sämtlicher Datenleitungen (z.B. aus der Gasversorgung) dient, um die Daten anschließend an das Monitoring zu übertragen. |
Diboran (B2H6)
Beschreibung: | Sehr giftiges, hochentzündliches Gas. |
Verwendung: | Borlieferant für die Ionenimplantation (p-Dotierung) und für die Epitaxie |
Dichlorsilan (SiH2Cl2)
Beschreibung: | Giftiges, korrosives, hochentzündliches Gas |
Verwendung: | Zur Erzeugung von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid-Schichten bei der CVD und die Herstellung von Silizium. |
Diffusion
Beschreibung: | Dotierungstechnik, bei der im ersten Schritt Fremdatome auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht werden. Im 2. Schritt diffundieren diese Fremdatome bei hoher Temperatur in das Kristallgitter des Halbleiters. |
Disilan (Si2H6)
Beschreibung: | Farbloses, selbstenzündliches Gas |
Verwendung: | als Siliziumquelle in der Epitaxie, in der Niedertemperatur-Siliziumdioxid-CVD und für die Siliziumnitrid-CVD |
Distickstoffmonoxid (Lachgas) (N2O)
Beschreibung: | Ungiftiges, brandförderndes / oxidierendes Gas |
Verwendung: | gemeinsam mit Silan zur Herstellung von Siliziumnitridschichten im CVD-Prozess |
Download: |
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Dotierung
Beschreibung: | Gezielter Einbau von Fremdatomen in das Kristallgitter eines Halbleiters mit dem Ziel die elektrische Leitfähigkeit des Halbleiters zu verändern. Siehe auch n-Dotierung und p-Dotierung. |
Downtime
Beschreibung: | Stillstandszeit. Bezeichnung des Zeitraumes, in dem ein (Gas-)System nicht in Betrieb ist. Man unterscheidet zwischen "scheduled Downtimes", erwartungsgemäßen, geplanten Stillstandszeiten für Wartung oder sonstigen Modifikationen und den "unscheduled Downtimes", den ungeplanten Ausfällen wie Not-Aus, Havarien etc. Downtime wird oftmals prozentual oder relational angegeben, z.B. bedeutet eine Downtime von 5ppm eine Stillstandszeit von 5(10-6 Zeiteinheiten der geplanten Einsatzzeit. |
E
Entspannungstableau
Beschreibung: | Rohrleitungs- und Armaturenpart eines Gaskabinettes. Hier wird das aus der Druckgasflasche kommende Gas auf den Betriebsdruck entspannt, gefiltert und aufbereitet. |
Epitaxie
Beschreibung: | Abscheidung von monokristallinen (Glo-monokristallines Silizium) dotierten Si-Schichten auf einer monokristallinen Silizium-Unterlage. Die Unterlage prägt der abgeschiedenen Schicht ihre Kristallstruktur auf. Eingesetzte Gase: Siliziumtetrachlorid, Wasserstoff, arsen- oder phosphorhaltige Gase. Weitere Informationen hier. |
ESG
Beschreibung: | Electronic specialty gas. Reinstgase in Druckgasflaschen für die Halbleiterindustrie. |
F
Feldebene
Beschreibung: | IT-Begriff: Bereich der Equipments, die an ein Monitoring angeschlossen werden sollen. Zur Feldebene gehören z.B: Gaskabinette, VMBs, Tanks etc. (Eingangsseite des Datenkonzentrators). |
Fluor (F2)
Beschreibung: | Giftiges, korrosives oxidierendes Gas |
Verwendung: | Ätzgas / Plasmaätzen, im Gemisch mit Krypton und Neon als Lasergas bei der Fotolithographie. |
Fluorwasserstoff (HF)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Kammerreinigung bei der CVD |
Fotolithographie
Beschreibung: | Technik, zur Strukturierung von Halbleitern. Die SiO2-Schicht auf einem Wafer wird mit Fotolack überzogen und dann durch eine Maske an einigen Stellen belichtet an anderen nicht. Von den belichteten oder unbelichteten Stellen (je nach Art des Fotolackes) wird der Fotolack durch Lösungsmittel abgelöst. Die darunterliegende SiO2 Schicht kann dann im anschließenden Ätzprozeß weggeätzt werden und das freigelegt Silizium dotiert werden. |
G
Gaskabinett
Beschreibung: | Sicherheitsgasschrank zur Aufnahme von Druckgasflaschen. Besteht hauptsächlich aus dem Gasschrank, dem Entspannungstableau und dem Controller. |
H
Helium (He)
Beschreibung: | Chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas |
Verwendung: | zum Kühlen |
Download: |
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Hexafluorethan (C2F6)
Beschreibung: | Ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: |
Hook up
Beschreibung: | Anschluss von Maschinen an die Gasversorgungsanlagen. |
I
Ionenimplantation
Beschreibung: | Dotierungstechnik. Dabei werden in einem Elektrischen Feld beschleunigte Ionen auf die Halbleiteroberfläche geschossen. Auf Grund ihrer Bewegungsenergie dringen sie in das Kristallgitter des Halbleiters ein. Weitere Informationen hier. |
K
Kohlendioxid (CO2)
Beschreibung: | Ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: | CVD, Veränderung der elektrischen Leitfähigkeit von DI-Wasser. |
Download: |
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Kohlenmonoxid (CO)
Beschreibung: | Giftiges, hochentzündliches Gas |
Verwendung: | gemeinsam mit C4F8 zum Plasmaätzen |
Kommunikationsebene
Beschreibung: | IT-Begriff: Ebene in der die Informationen aus der Gasversorgung aufbereitet und visualisiert sind. (Softwareebene). Zur Kommunikationsebene gehören das Monitoringsystem, die Bedienstationen, Server etc. (Ausgangsseite des Datenkonzentrators). |
Krypton (Kr)
Beschreibung: | chemisch inertes, farbloses, ungiftiges Edelgas |
Verwendung: | im Gemisch mit Fluor und Neon als Lasergas bei der Fotolithographie |
M
Metallisierung
Beschreibung: | Aufbringen einer Metallschichten zur Herstellung von leitenden Verbindungen, z.B. für Anschlüsse. Diese Metallschichten werden dann über Fotolithographie und Ätztechniken so bearbeitet, dass nur die gewünschten Leiterbahnen stehen bleiben. |
Methan (CH4)
Beschreibung: | Brennbares, ungiftiges Gas |
Verwendung: | Brenngas |
Monitoring
Beschreibung: | Softwarebasiertes Visualisierungssystem. Dient der zentralen Erfassung aller prozeßrelevanten Informationen aus einem Bereich (z.B. der Gasversorgung). In einem Monitoringsystem werden Alarme generiert, Trends erfasst statistische Auswertungen durchgeführt u. ä. Schalthandlungen vom Monitoringsystem an die Gasversorgung werden in der Regel nicht durchgeführt. |
N
n-Dotierung
Beschreibung: | Einbau von 5-wertigen Elementen (wie Antimon, Arsen, Phosphor oder Wismuth )in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch überschüssige negative Leitungselektronen verändert. Dotierung |
O
Octafluorcyclobutan (C4F8)
Beschreibung: | Ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: |
Oxidation
Beschreibung: | Herstellung einer Siliziumoxidschicht, z.B. als Isolationsschicht oder Schutzschicht. Weitere Informationen hier |
P
p-Dotierung
Beschreibung: | Einbau von 3-wertigen Elementen (wie Aluminium, Bor, Gallium oder Indium) in das Kristallgitter des Siliziumkristalles. Dadurch wird die elektrische Leitfähigkeit des Siliziums durch ortsveränderliche Elektronenfehlstellen, die wie positive Ladungsträger wirken, verändert. Dotierung |
Panel
Beschreibung: | siehe Monitoring |
Perfluorpropan (C3F8)
Beschreibung: | Ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: |
Phosphin (PH3)
Beschreibung: | Sehr giftiges, hochentzündliches, umweltgefährliches Gas |
Verwendung: | als Phosphorquelle für CVD, Ionenimplantation und Epitaxie |
Phosphor
Beschreibung: | Giftiger, fester Stoff, selbstentzündlich an Luft |
Verwendung: | für die n-Dotierung bei der Ionenimplantation |
Phosphorsäure H3PO4
Verwendung: | zum Ätzen von Siliziumnitridschichten |
Plasmaätzen
Beschreibung: | Ätzen mit Gasen (im Gegensatz zum nasschemischen Ätzen mit flüssigen Chemikalien) |
S
Salpetersäure
Beschreibung: | Flüssiges korrosives Oxidationsmittel |
Verwendung: | zum Reinigen von Silizium-Wafern und zum Ätzen von Metallen |
Salzsäure
Beschreibung: | in Wasser gelöster Chlorwasserstoff |
Sauerstoff (O2)
Beschreibung: | Ungiftiges, brandförderndes/oxidierendes Gas |
Verwendung: | Oxidation von Siliziumschichten |
Download: |
|
Schwefelhexafluorid (SF6)
Beschreibung: | Farbloses, geruchsloses, ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: |
Schwefelsäure
Beschreibung: | Giftige, stark ätzende Flüssigkeit |
Verwendung: | Entfernen photoresistenter Schichten und Reinigen von Wafern. |
Silan (SiH4)
Beschreibung: | Farbloses, selbstenzündliches Gas |
Verwendung: | als Siliziumquelle in der Epitaxie, in der Niedertemperatur-Siliziumdioxid-CVD und für die Siliziumnitrid-CVD |
Silizium
Beschreibung: | Halbmetall, aus dem Wafer hergestellt werden. |
Man unterscheidet: | monokristallines Silizium = Silizium mit einer gleichmäßigen Kristallgitterstruktur polykristallines Silizium = Silizium mit einer ungleichmäßigen Kristallgitterstruktur |
Siliziumdioxid
Beschreibung: | Quarz. Hergestellt durch thermische Oxidation von Silizium. |
Verwendung: | als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht |
Siliziumnitrid
Verwendung: | als Passivierungs-, Schutz- oder Isolierschicht |
Siliziumtetrachlorid (SiCl4)
Beschreibung: | Farblose, korrosive, unbrennbare Flüssigkeit, die sich bei Kontakt mit Feuchtigkeit sofort zu HCl bzw. Salzsäure zersetzt |
Verwendung: | Ablagerung von Siliziumschichten in der Epitaxie und in der Hochtemperatursiliziumdioxid-CVD |
Siliziumtetrafluorid (SiF4)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives unbrennbares Gas |
Verwendung: | rein oder im Gemisch mit Sauerstoff zum Ätzen von Silizium. |
Slurry
Beschreibung: | Flüssigkeit, die mit einem Schleifmittel versetzt ist. |
Verwendung: | Polieren etc |
Stick
Beschreibung: | Eine Linie in einer VMB. Jedem Stick ist ein Prozeßtool zugeordnet. |
Supervision System
Beschreibung: | siehe Monitoring |
Stickstoff (N2)
Beschreibung: | Ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Spülgas, zum Inertisieren, zum Reinigen und als Trägergas in der CVD |
Download: |
Stickstoffmonoxid (NO)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives, oxidierendes Gas |
Verwendung: | zur Herstellung von Siliziumoxid-/Siliziumnitridschichten |
Stickstofftrifluorid (NF3)
Beschreibung: | gesundheitsschädliches, oxidierendes Gas |
Verwendung: | Plasmaätzen, zum Ätzen von Silizium und Siliziumnitrid, Wolfram-Silizium-Verbindungen und Wolfram-Schichten und zum Reinigen der CVD-Kammern. |
T
Tableau
Beschreibung: | siehe Entspannungstableau |
Tetrafluormethan (CF4)
Beschreibung: | Farbloses, geruchsloses, ungiftiges, unbrennbares Gas |
Verwendung: | rein oder im Gemisch mit Sauerstoff zum Plasmaätzen von Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, polykristallinem Silizium und einigen Silizium-Metallverbindungen vor dem CVD-Prozess |
Tool
Beschreibung: | Prozeßequipment des Halbleiterunternehmens, an das die (Gas-) Versorgungen angeschlossen werden |
Touchscreen
Beschreibung: | Berührungsempfindlicher Bildschirm. "State of the art"-Eingabefeld bei Gaskabinetten (z.T. auch bei VMBs). Dient gleichzeitig als Eingabefeld für den Bediener und als Ausgabebildschirm |
V
VCR(r)
Beschreibung: | Reinstgasverschraubung. Wird im Halbleiterbereich fast ausschließlich für lösbare Verbindungen von Rohrleitungen, Fittings und Armaturen eingesetzt. |
Valve Manifold Box (Verteilerbox, Ventilbox)
Beschreibung: | Unterverteiler der vom Gaskabinett kommenden Prozeßgasleitung auf mehrere Gaslinien. |
W
Wasserstoff (H2)
Beschreibung: | Ungiftiges, brennbares Gas |
Verwendung: | |
Download: |
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Wolframhexafluorid (WF6)
Beschreibung: | Sehr giftiges, korrosives, unbrennbares Gas |
Verwendung: | Kammerreinigung bei der CVD |
X
Xenon
Verwendung: | Elektronenlieferant bei der Ionenimplantation |



